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G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 / F4-3200C16S-16GVK / Ripjaws V kaufen

G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Angebote kaufen, F4-3200C16S-16GVK, Ripjaws V, 1 Modul/e, CL 16-18-38

  • EAN: 4719692007506
  • Hersteller: G.Skill
  • Hersteller-Nr.: F4-3200C16S-16GVK

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Angebote G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Ripjaws V



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Produktbeschreibung

  • Dieses Single-Channel-Modul besteht aus einem 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) der Ripjaws V-Serie von G.Skill.
  • Das Modul ist auf eine Latenz von 16-18-18-38 bei 3200 MHz programmiert und besitzt vergoldete Kontakte.
  • Die DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt.
  • Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar.
  • Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.
  • Dieses Single-Channel-Modul besteht aus einem 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) der Ripjaws V-Serie von G.Skill.
  • Das Modul ist auf eine Latenz von 16-18-18-38 bei 3200 MHz programmiert und besitzt vergoldete Kontakte.
  • Die DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt.
  • Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar.
  • Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.

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Technische Daten G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Ripjaws V

Typ SDRAM-DDR4
EAN 4719692007506
Hersteller-Nr. F4-3200C16S-16GVK
Serie Ripjaws V
Kapazität 16 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt
Standard DDR4-3200 (PC4-25600)
Physikalischer Takt 1600 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Row-Active-Time (tRAS) 38
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und “Per DRAM Adressability”.
Gewicht 31 Gramm
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