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G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Kit / F4-3200C16D-16GVGB kaufen

G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Kit Angebote kaufen, F4-3200C16D-16GVGB, 2 Modul/e, CL 16-18-38

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Angebote G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Kit



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Produktbeschreibung

  • Das G.Skill F4-3200C16D-16GVGB ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Ripjaws V Serie.
  • Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB.
  • Die Module sind auf Latenzen von 16-18-18-38 bei 3200 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte.
  • Die Dual-Channel DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt.
  • Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar.
  • Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.
  • Das G.Skill F4-3200C16D-16GVGB ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Ripjaws V Serie.
  • Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB.
  • Die Module sind auf Latenzen von 16-18-18-38 bei 3200 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte.
  • Die Dual-Channel DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt.
  • Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar.
  • Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.

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Technische Daten G.Skill DIMM 16GB DDR4-3200 Kit

Typ SDRAM-DDR4
EAN 4719692006417
Hersteller-Nr. F4-3200C16D-16GVGB
Kapazität 16 GB (2 x 8.192 MB)
Anzahl 2 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3200 (PC4-25600)
Physikalischer Takt 1600 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Row-Active-Time (tRAS) 38
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und “Per DRAM Adressability”.
Gewicht 97 Gramm

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