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G.Skill DIMM 256 GB DDR4-3600 Octo-Kit / F4-3600C18Q2-256GTZN / Trident Z Neo kaufen

G.Skill DIMM 256 GB DDR4-3600 Octo-Kit Angebote kaufen, F4-3600C18Q2-256GTZN, Trident Z Neo, 8 Modul/e, CL 18-22-42

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Angebote G.Skill DIMM 256 GB DDR4-3600 Octo-Kit Trident Z Neo



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Produktbeschreibung

  • Das G.Skill F4-3600C18Q2-256GTZN ist ein Kit aus acht 32-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Trident Z Neo Serie.
  • Die Gesamtkapazität beträgt 256 GB.
  • Die Module unterstützen ein Timing von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung.
  • Ein Merkmal der Trident Z Neo Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung.
  • Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.
  • Das G.Skill F4-3600C18Q2-256GTZN ist ein Kit aus acht 32-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Trident Z Neo Serie.
  • Die Gesamtkapazität beträgt 256 GB.
  • Die Module unterstützen ein Timing von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung.
  • Ein Merkmal der Trident Z Neo Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung.
  • Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.

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Technische Daten G.Skill DIMM 256 GB DDR4-3600 Octo-Kit Trident Z Neo

Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 4713294225467
Hersteller-Nr. F4-3600C18Q2-256GTZN
Serie Trident Z Neo
Kapazität 256 GB (8 x 32.768 MB)
Anzahl 8 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
Timings CAS Latency (CL) 18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Row-Active-Time (tRAS) 42
Hinweis optimiert für AMD RYZEN 3000 & AMD TRX40 Plattformen
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und “Per DRAM Adressability”.
Gewicht 200 Gramm

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